Печи для выращивания кристаллов по методу Киропулоса (ГОИ) и по методу Степанова (EFG).
1. ОБОРУДОВАНИЕ
а) Печи для выращивания кристаллов по методу Киропулоса (ГОИ)
| «TechSapphire» | ||||||
| УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА | ||||||
| Технические характеристики: | ||||||
| Диаметр/вес кристалла (мм/кг) | 200/32 | 300/65 | 300/85 | 350/100 | 400/150 | |
| Максимально возможная потребляемая мощность получения расплава (кВА) | 55 | 65 | 75 | 85 | 90 | |
| Реальная потребляемая мощность за все время технологического процесса (кВА) | 38,5 | 47,7 | 65 | 70 | 75 | |
| Питающая сеть (переменный ток) | 380/480, 3 фазы (согласно требованиям клиента) | |||||
| Способ нагрева | резистивный (вольфрамовый нагреватель) | |||||
| Напряжение нагревателя (В) | 12 пер/пост, 24 пер/пост (в зависимости от модификации) | |||||
| Систему управления | PLC (контроллер с программным управлением)
обеспечивает автоматизацию общего процесса выращивания кристаллов, кроме затравления. |
|||||
| Наблюдение за процессом |
|
|||||
| Регулируемые параметры программы для выращивания кристаллов |
|
|||||
| Система охлаждения | Автоматизированная система охлаждения водой закрытого типа | |||||
| Размеры (мм) | 2200x2000x2300 | |||||


Мы растим кристаллы из синтетического сапфира оптического качества диаметром 200 мм и весом 32 кг; диаметром 300 мм и весом 65, 85, 100 и 150 кг.
б) Система управления и программное обеспечение для технологии роста сапфира по методу Киропулоса (ГОИ);
1.Разработка и изготовление системы управления, а также программного обеспечения для ростового оборудования, по техническому заданию заказчика.
2.Техническая поддержка и обновление программного обеспечения.
2. Оснастка
а) Тепловые узлы для ростовых и отжиговых установок.
1.Тепловой узел собственной конструкции из различных материалов, обеспечивающих длительный срок службы, высокое энергосбережение и низкие затраты на обслуживание.
2.Тепловой узел и его быстро изнашивающиеся детали по чертежам заказчика.
3.Нагревательные элементы собственной конструкции и по чертежам заказчика из различных материалов.
б) Оснастка для обработки кристаллов


