Печи для выращивания кристаллов по методу Киропулоса (ГОИ) и по методу Степанова (EFG).

1. ОБОРУДОВАНИЕ

а) Печи для выращивания кристаллов по методу Киропулоса (ГОИ)

«TechSapphire»
УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА
Технические характеристики:
Диаметр/вес кристалла (мм/кг) 200/32 300/65 300/85 350/100 400/150
Максимально возможная потребляемая мощность получения расплава (кВА) 55 65 75 85 90
Реальная потребляемая мощность за все время технологического процесса (кВА) 38,5 47,7 65 70 75
Питающая сеть (переменный ток) 380/480, 3 фазы (согласно требованиям клиента)
Способ нагрева резистивный (вольфрамовый нагреватель)
Напряжение нагревателя (В) 12 пер/пост, 24 пер/пост (в зависимости от модификации)
Систему управления PLC (контроллер с программным управлением)

обеспечивает автоматизацию общего процесса выращивания кристаллов, кроме затравления.

Наблюдение за процессом
  • на приборной панели, рядом с установкой
  • на компьютере оператора за диспетчерским пультом
  • в режиме «он-лайн» через интернет
Регулируемые параметры программы для выращивания кристаллов
  • напряжение на нагревателе, сила тока и мощность
  • вес и прирост веса кристалла
  • температура оборотной воды, теплоотвод камеры
  • вытягивания кристалла и скорость перемещения
  • уровень вакуума в камере роста
Система охлаждения Автоматизированная система охлаждения водой закрытого типа
Размеры (мм) 2200x2000x2300
Установка для роста кристаллов «TS» с переменным током питания нагревателя
Установка для роста кристаллов «TS» с постоянным током питания нагревателя (IGBT)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Мы растим кристаллы из синтетического сапфира оптического качества диаметром 200 мм и весом 32 кг; диаметром 300 мм и весом 65, 85, 100 и 150 кг.

 

 

б) Система управления и программное обеспечение для технологии роста сапфира по методу Киропулоса (ГОИ);

1.Разработка и изготовление системы управления, а также программного обеспечения для ростового оборудования, по техническому заданию заказчика.

2.Техническая поддержка и обновление программного обеспечения.

2. Оснастка

а) Тепловые узлы для ростовых и отжиговых установок.

1.Тепловой узел собственной конструкции из различных материалов, обеспечивающих длительный срок службы, высокое энергосбережение и низкие затраты на обслуживание.

2.Тепловой узел и его быстро изнашивающиеся детали по чертежам заказчика.

3.Нагревательные элементы собственной конструкции и по чертежам заказчика из различных материалов.

б) Оснастка для обработки кристаллов